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SiHG20N50C
Vishay Siliconix
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
Pulse Time (s)
Fig. 10 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case (TO-247)
V DS
R D
V DS
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
t p
V DD
10 V
V DS
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
I AS
Fig. 11a - Switching Time Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
V DS
90 %
10 %
V GS
10 V
V G
Q GS
Q G
Q GD
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 11b - Switching Time Waveforms
L
Charge
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Current regulator
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
Same type as D.U.T.
50 k Ω
R g
D.U.T
I AS
+
-
V DD
12 V
0.2 μF
0.3 μF
D.U.T.
+
-
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
V GS
3 mA
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91382
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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